【摘 要】
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本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所，浙江大学信电系
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本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
This paper mainly reports the monolithic integration of InP optical waveguide and InGaAs-PIN photodetector, including material growth, device technology and device testing. The device structure and fabrication method is relatively simple, and the main parameters representing the performance of the device can be close to similar devices abroad, such as the minimum optical waveguide loss of 8.6dB / cm, the device forward voltage drop of 0.4 ~ 0.6V, Reverse breakdown voltage> 40V, responsivity ~ 0.5A / W, rise time <0.9ns.
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