Coexistance of C40 and C54 TiSi2 during the solid state reaction of T／Mo／Si system

来源 :核技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：myazx

【摘要】

：

The effect of a 0.9nm Mo interlayer at the interface of Ti film deposited on a Si substrate on phase formation of TiSi2 during annealing has been studied by usi

【作者】

：

ZHANGZhi－Bin ZHANGShi－Li 等

【机构】

：

LaboratoryofNuclearAnalysesandTechniques,KungligaTekniskaHoegskolan

【出处】

：

核技术：英文版

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

钛薄膜硅衬底 TiSi2相电子衍射 Transmission electron micro-diffraction Phase of TiSi2 C54

【基金项目】

：

Partly Supported by the National Nature Science Foundation of China (No. 19910131370)

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The effect of a 0.9nm Mo interlayer at the interface of Ti film deposited on a Si substrate on phase formation of TiSi2 during annealing has been studied by using transmission electron micro-diffraction technique.When Ti/Mo/Si was annealed at low temperat

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