Si掺杂对AlGaInP／GaInP多量子阱性能的影响

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【摘要】

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采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/GalnP多量子阱性

【作者】

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李述体范广涵周天明王浩孙慧卿郑树文郭志友

【机构】

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华南师范大学

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

ALGAINP AlGaInP/GaInP多量子阱 X射线双晶衍射 Si掺杂光致发光 AlGaInP AlGaInP/GaInP MQW double c

【基金项目】

：

国家科技攻关项目，华南师范大学校科研和教改项目

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采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/GalnP多量子阱性能的影响.研究表明:掺Si能大大提高(Al0.3Gao7)0.5In0.5P/Gao5In0.5P多量子阱的发光强度.相对于未故意掺杂的样品,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍.外延片的X射线双晶衍射测试表明,Si掺杂并没有使多量子阱

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