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对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究，并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响．实验结果表明，非合金Al／ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触，溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱，影响I-V特性，延长了光响应下降时间．ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象．