【摘 要】
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为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.扩展电阻的测试结果显示出注入的
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为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.扩展电阻的测试结果显示出注入的P离子基本上集中在集电区的位置,对发射区和基区未造成显著影响.电学特性测量结果表明,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管.因此,在双层多晶硅晶体管中采用SIC技术,有效地降低了基区的扩展效应,提高了器件的电学特性.
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