提高2CK硅台面二极管烧结成品率的有利措施

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我厂过去生产2CK的烧结工艺是以管芯的n型衬底与EA型管壳内部的杜美丝露头之间夹一层铅锡合金片,然后在低真空气氛中450~500℃,15分钟,烧焊而成。 我们对此烧焊条件下烧结成品率低的原因进行了分析,认为主要是由于烧结温度过高所至。为了寻求降低烧结温度的途径,我们考虑对硅片背面进行镀镍,来加以改善。 2CK sintering plant in the past we produced the process is the core of the n-type substrate and EA shell Du Mei Si outcrop between the folder between a layer of tin-tin alloy sheet, and then in a low vacuum atmosphere 450 ~ 500 ℃, 15 Minutes, made by welding. We analyzed the reasons for the low yield of sintered products under this condition of welding, which is mainly due to the high sintering temperature. In an attempt to find a way to reduce the sintering temperature, we considered improving the back side of the wafers by nickel plating.
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