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成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了P型InAS自组织生长的量子点的电学性质,测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上的约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需克服一个势垒,得获势垒高度为0.26eV,本工作首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒,相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助。