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叙述了SiO2/Si系开管扩镓工艺和镓掺杂原理，研究了镓掺杂与器件电参数的关系，并分析了改善器件性能的机理，实验证明，采用SiO2/Si系开管扩镓工艺，扩镓硅片表面状况，均匀性和重复性良好，镓杂质浓度分布理想，并能明确改善器件电参数性能，提高电参数一致性，增加成品率等，优于闭管扩镓，裸Si系开管扩镓和硼扩散。