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本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ－ＰＰＣ）。在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为。实验结果表明，未人为掺杂和掺Ｓｉｍ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷，这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物。和未人为掺杂样品Ａ相比，样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导