半导体形变势及其应变层异质结带阶

来源 :厦门大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangting198198225
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采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法,并通过 In P/ In As、 In P/ Ga P、 Ga As/ In As、 Ga P/ Ga As、 Al As/ In As 等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算,并证实了该方法的实用性. A method of calculating the bands of heterogeneous strained strained layers under different strain conditions by using only the energy band, the bandgap parameter and the deformation potential of the bulk material can be predicted by In P / In As, In P / Ga P, Ga As / In As, Ga P / Ga As, Al As / In As strained layer stratigraphic heterogeneity in different strain band valence band calculations, and confirmed the practicality of the method.
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