平均键能方法相关论文
采用基于LMTO－ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs，（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs......
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ......
三元合金异质结是异质结器件的重要材料,它广泛应用于微波和光电器件中。如组分x=0.3的合金异质结可用于研制高电子迁移率晶体管(H......
半导体异质结界面两侧价带带阶ΔE_v值(即va|ence-band offsets)是决定量子阱、超晶格电子态重要的物理量,无论是理论计算还是实验......
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的带阶研究 .通过流体静压力应变和单轴应变对带阶参量Emv作用的仔细研究 ,发现平均带阶参......
以平均键能Em作为参考能级,计算了10种不同半导体的Schottky接触势垒高度,计算值与实验值符合较好.计算值与实验值的符合程度与Ter......
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过ＩｎＰ／ＩｎＡｓ、ＩｎＰ／ＧａＰ、ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ、ＧａＰ／ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ等应变层异质结在......
采用基于ＬＭＴＯ－ＡＳＡ的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（ＧａＡｓ）ｘ（Ｇｅ２）１－ｘ／ＧａＡｓ，（ＡｌＡｓ）ｘ（Ｇｅ２）１－ｘ／ＧａＡｓ和ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的价带带阶△Ｅｖ（Ｘ）值，研究表明，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结的△Ｅｖ（Ｘ）值随......
采用平均键能作为参考能级计算了十种金属 -半导体接触势垒高度 ,其计算结果与实验值的符合程度不亚于 Tersoff和 M o¨ nch所采用......
