【摘 要】
：
气密性封装工艺广泛应用于高可靠电子元器件.目前陶瓷产品的气密性封装主要采用Au80Sn20合金作为连接材料将盖板和管壳进行密封,Au80Sn20合金中Au与Sn元素的质量分数分别为80％和20％,是金锡二元合金的共晶成份,目的是在较低的温度和最短的时间内发生共晶反应,形成良好的密封结构.采用Au80Sn20合金对DIP20陶瓷管壳与盖板进行气密性封装,通过微观组织表征与X-ray测试观察金属间化合物的状态和元素分布,研究不同焊接温度和焊接压力对Au80Sn20合金焊接孔洞和微观组织的影响.在焊接峰值温度和
【机 构】
：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072;无锡中微高科电子有限公司,江苏无锡214035
论文部分内容阅读
气密性封装工艺广泛应用于高可靠电子元器件.目前陶瓷产品的气密性封装主要采用Au80Sn20合金作为连接材料将盖板和管壳进行密封,Au80Sn20合金中Au与Sn元素的质量分数分别为80％和20％,是金锡二元合金的共晶成份,目的是在较低的温度和最短的时间内发生共晶反应,形成良好的密封结构.采用Au80Sn20合金对DIP20陶瓷管壳与盖板进行气密性封装,通过微观组织表征与X-ray测试观察金属间化合物的状态和元素分布,研究不同焊接温度和焊接压力对Au80Sn20合金焊接孔洞和微观组织的影响.在焊接峰值温度和焊接压力两个关键因素上进行优化,得出了减少气密性封装孔洞的最佳工艺参数组合,提高了 Au80Sn20焊料气密性封装的可靠性,有助于提高元器件封装质量,在行业内具有一定的指导意义.
其他文献
当前疫情防控形势严峻,在人群密集场所进行实时快速的口罩佩戴检测可以有效降低病毒传播的风险.针对目前人工检测效率低的问题,提出一种基于YOLOv3的轻量化口罩佩戴检测算法.使用ShuffleNetv2替换原来的主干特征提取网络,降低网络参数量,减少计算功耗.提出将SKNet注意力机制引入到特征融合网络部分,增强不同尺度的特征提取能力;使用CIoU作为边界框回归损失函数,进一步提高检测精度.在构建的人脸口罩检测数据集上实验表明,与原YOLOv3相比,所提算法在保持较高检测精度的情况下,检测速度提高了 34 F
针对自动气象站故障快速检测的需求,研制了一种基于嵌入式的便携式自动气象站故障检测仪.它集成了低功耗微控制器、高精度电子元器件和高速数据通信模块,通过四通道数字隔离器将微控制器数据总线和气象要素处理电路总线隔离提升信号间的抗干扰性,实现风向、风速、雨量、温湿度、气压信号的模拟和采集,实现对自动气象站的故障检测.试验表明该仪器能快速定位自动气象站传感器、采集器、电源模块、通讯模块的故障点,输出模拟气象信号误差最大不超过0.3,信号采集平均误差稳定在0.2上下.
4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单、开关时间短、功率密度大、转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期可靠性的影响和长期可靠性机理研究的相关成果.在动态可靠性方面,对雪崩测试、短路测试和浪涌测试的实验现象和失效机制分析进行了综述.
高压断路器操动机构的振动信号包含了断路器运行状态的重要信息,对操动机构工作状态的诊断辨识十分重要.针对振动信号随机、非平稳的复杂特性,提出了一种基于双谱分析和双通道流浅层卷积神经网络的断路器故障诊断方法.对振动信号进行双谱分析和小波分析,分别提取2D双谱矩阵以及1D小波频带能量作为双流卷积神经网络的双通道特征;对断路器模拟实验采集到的5种工况下的振动信号进行有监督训练.结果表明,双谱分析能够抑制高斯噪声、保留操动机构不同工况下主要峰值形态特征并融合小波频带能量特征,所提模型训练迭代5次即可达到98.33％
设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate,SR)对工艺、电压、温度(Process,Voltage,Temperature,PVT)和负载的变化不敏感.由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor,NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输出缓冲器被设计成双NMOS管串联结构.为了得到对PVT和负载不敏感的SR,在预驱动电路和输出缓冲器间引入了反馈电容.Hspice的仿真结果显示,当输入信号频率为5 MHz时,负载电容从20 pF变化到80 p
薄膜封装是有机电致发光器件柔性化亟需解决的关键技术难题.用NEA121树脂与Al2O3作为薄膜封装的有机膜与无机膜封装,封装薄膜的水氧阻隔性能通过钙膜测试.实验结果表明,3层堆叠Al2O3/NEA121封装后的水汽透过率(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)达到2.1×10-4 g/(m2·d),封装薄膜的失效原因是水汽通过封装薄膜缺陷点渗透,不断腐蚀钙膜导致封装失效,而采用无机/有机堆叠封装的方法使薄膜的封装效果得到了改善.
为了探究平板微热管槽道横截面的形状和工质对平板微热管工作性能的影响,运用多物理场有限元仿真软件Comsol对矩形槽、梯形槽和正六边形槽三种平板微热管的热性能进行了有限元仿真.通过比较水和乙醇两种工质的平板热管在加热功率分别为30 W、40 W和50 W时热管下表面中心点的温度,得出正六边形槽道结构相比于矩形槽道和梯形槽道具有更好的传热性能,而且当平板微热管槽道结构相同时,采用水作工质比乙醇更有利于导热.
为了解决传统电压缓冲器建立时间较长、功耗较大等问题,提出了一种基于差分翻转电压跟随器(Differential Flipped Voltage Follower,DFVF)的AB类缓冲放大器.电路主要由作为输入级的DFVF和基于反相器的输出级组成.与其他缓冲器相比,该电路结构简单,晶体管数量少.由于使用了 AB类的缓冲器,因此输出电流不受偏置电流的影响,并且静态电流小.采用SMIC0.18μm工艺对电路进行仿真,仿真结果表明在1.8 V电源电压、全电压摆幅下,能在0.56 μs的建立时间内驱动1nF的电容
自主设计和制备了 一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件.通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功在N型SiC衬底上制备了 SiC N沟道IGBT器件.测试结果表明,该器件阻断电压为20.08 kV时,漏电流为50μA.当栅电极施加20V电压,集电极电流为20 A时,器件的导通电压为6.0 V,此时器件的微分比导通电阻为27 mΩ·m
FPGA支持软件的质量极大地影响电子工程设计师的工作效率,而FPGA综合是FPGA设计流程的关键步骤,是后续所有工作的基础,极大地影响FPGA设计工具的效果.测试例自动生成技术的研究可以有效驱动FPGA设计工具的开发和质量提升.提出一种测试例自动生成方法,通过注入可控的“无关项”或“冗余项”,以及可调的输入、输出和逻辑层次等参数,使得生成的测试例可以被用于测试FPGA综合中的逻辑优化策略是否达到预期,辅助优化FPGA综合效果.