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对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算，包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布，在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的 - 特性的影响．
双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性
【摘 要】
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对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算，包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布，在此基础上分析研究了接触处空
【机 构】
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河北工业大学 电气信息学院，天津 300130
【出 处】
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河北工业大学学报
【发表日期】
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2000年6期
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