电子束蒸发法制备Zn(O,S)薄膜及其在SnS薄膜太阳能电池上的Ⅰ-Ⅴ特性研究

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【摘要】

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采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85％,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出

【作者】

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陈超

【机构】

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福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350108

【出处】

：

内蒙古科技与经济

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

电子束蒸发法 Zn(O S) 薄膜太阳能电池 Ⅰ-Ⅴ特性

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采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85％,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出明显的整流特性;探讨了Zn(O,S)薄膜厚度对器件Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,当Zn(O,S)薄膜厚度为100nm时,器件具有光响应.

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