论文部分内容阅读
采用K·p方法理论，考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素，通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN／AIlnGaN，InGaN／GaN，InGaN／InGaN，InGaN／A1GaN量子阱导带和价带的能带结构，并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱，分析对比发现AIlnGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响。以AIlnGaN为垒，优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响，提高量子阱自发发射谱强度。同时，综合考虑了极化电荷和势垒高度