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用化学沉淀法制备出了纳米级的HAP粉体,讨论了不同工艺参数对化学沉淀法制备的HAP粉体性能的影响.用X射线衍射、红外光谱以及TEM对所制粉体进行了分析.测定结果表明:煅烧后粉体的结晶程度明显提高,在进行煅烧时以900～1000 ℃煅烧1 h以下为宜.反应温度及保温时间的影响较小.
化学沉淀法制备纳米HAP粉体的工艺优化
【摘 要】
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用化学沉淀法制备出了纳米级的HAP粉体,讨论了不同工艺参数对化学沉淀法制备的HAP粉体性能的影响.用X射线衍射、红外光谱以及TEM对所制粉体进行了分析.测定结果表明:煅烧后粉
【机 构】
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山东大学,山东大学第二医院
【出 处】
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山东大学学报(工学版)
【发表日期】
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2003年6期
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