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研制一种以薄的高阻AlGaN覆盖层作为肖特基势垒增强层的N?AlGaN基金属?半导体?金属（MSM）日盲紫外光电探测器。与无覆盖层的参考器件相比，覆盖高阻AlGaN层后探测器的暗电流大幅度减小。在5 V偏压下，覆盖高阻AlGaN层的光电探测器的暗电流为1.6 pA，响应度为22.5 mA/W，日盲紫外抑制比大于103，探测率为6.3×1010 cm·Hz1/2/W。