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在本研究中描述了从热CVD(900-1100℃)越过等离子体辅助CVD(PACVD),到用有机金属PACVD(MO-PACVD)的低达140℃的甚低落曙沉积这一合连续改善及它们的相应应用。研究了钢基体、硬金属、陶瓷基体以及时效硬化铝合金上TiN、TiC、TiCN、ZrCn、ZrBCN、BCN单层体系和多层体系的沉积。光发射光谱测定术已用于识别在等离子体辅助工艺期间放电中的粒种,并用于工艺最佳化和控