（Si,Er）双注入单晶硅近红外光发射

来源 :北京师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xieke594112

【摘要】

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利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜.RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发

【作者】

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徐飞肖志松张通和程国安易仲珍曾宇昕顾岚岚

【机构】

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北京师范大学低能核物理研究所,南昌大学材料科学与工程系,复旦大学

【出处】

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北京师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2001年4期

【关键词】

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离子注入双注入铒掺杂光发射单晶硅 erbium ion implantation photoluminescence

【基金项目】

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国家自然科学基金，复旦大学校科研和教改项目

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利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜.RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多.显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌.而这些结构变化将直接决定了(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光.

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