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文中介绍了分别采用聚酰亚胺和CVDSiO2作层间介质，进行2μm×2μm通孔的刻蚀和铝双层布线，其成品率均可达到100％，介质对一次铝的覆盖完整率可达95％以上，层间绝缘电压大于250V。
一种采用微小通孔的双层布线技术
【摘 要】
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文中介绍了分别采用聚酰亚胺和CVDSiO2作层间介质，进行2μm×2μm通孔的刻蚀和铝双层布线，其成品率均可达到100％，介质对一次铝的覆盖完整率可达95％以上，层间绝缘电压大于250V。
【机 构】
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信息产业部电子第二十四研究所,自贡高等专科学校
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2001年1期
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