【摘 要】
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基于现有工艺平台设计一款1700V／100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件（Nonpunchthrough insu—latorgatebipolartransistor，简称NPT-IGBT），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工
【机 构】
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国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所,国网上海市电力公司
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基于现有工艺平台设计一款1700V／100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件（Nonpunchthrough insu—latorgatebipolartransistor，简称NPT-IGBT），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工艺，背发射极采用透明集电极技术，对其静态特性进行工艺仿真。仿真结果显示，调整P阱注入剂量及P阱推结时间可以改变器件的阈值电压，调整P阱及背面P^＋集电极注入剂量可以改变器件的饱和电压。将此设计进行流片验证，结果显示击穿电压在2100V以上，饱和压降在2．5～2．7V之间，阈值
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