【摘 要】
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随着集成电路尺寸和复杂性的不断增加,对器件工艺提出新的要求。高性能器件的制备,常常要求在多个薄层之上进行蒸镀和跨接。同时,这又反过来要求平面的平整度。在以往,已有
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随着集成电路尺寸和复杂性的不断增加,对器件工艺提出新的要求。高性能器件的制备,常常要求在多个薄层之上进行蒸镀和跨接。同时,这又反过来要求平面的平整度。在以往,已有几种方法用于绝缘表面的
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