【摘 要】
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原料配比为n(TiC):n(Ti):n(Al):n(Si)=2:1:1:0.2的起始混合粉料在1300～1500℃温度下,30MPa压力下热压2h制得高纯致密Ti3AlC2块体材料.添加适量硅作助剂显著加快Ti3AlC2的反应
【机 构】
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武汉理工大学材料复合国家重点实验室
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原料配比为n(TiC):n(Ti):n(Al):n(Si)=2:1:1:0.2的起始混合粉料在1300～1500℃温度下,30MPa压力下热压2h制得高纯致密Ti3AlC2块体材料.添加适量硅作助剂显著加快Ti3AlC2的反应合成,使Ti3AlC2在1 200℃的温度下大量生成,能谱仪分析表明Si在材料中均匀分布.1300℃和1400℃烧结所得Ti3AlC2颗粒均呈六方板状结晶形貌,其在平面内尺寸大小分别为3～6μm和10～20μm.
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