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P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3％ ～6％的效率衰减.该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P＜100＞单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池,对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析.用标准模拟光源对样品电池分别进行光衰实验对比,结果证实:掺Ga单晶硅太阳电池不仅能保持与掺B单晶电池相同的光电转换效率,而且能强烈地抑制光衰.