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在Se气氛中对磁控溅射CIGSe靶材制备的CIGSe薄膜进行退火处理。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分及电学性能的影响，并制备了CIGSe太阳电池。结果表明，采用磁控溅射CIGSe靶材＋se气氛中退火处理的方法，可制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGSe薄膜；退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素。退火温度低于350℃时，退火效果不明显。退火温度在400℃，退火时间达120min时，薄膜完成再结晶过