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设计并流片验证了一种0．18／．μRFCMOS工艺的2．4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电（ESD）保护方案。对于射频（RF）I／O口的ESD防护，主要对比了二极管、可控硅（SCR）以及不同版图的：互补型SCR，经流片与测试，发现岛屿状互补型SCR对I／O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护，主要研究了不同触发方式的ESD保护结构，结果表明，RCMOS触发SCR结构（RCMOS—SCR）具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计，RFI／O口采用岛屿状布局的