难熔栅相关论文
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅......
发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异......
对0.25肌双场板结构GaNHEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaNHEMT增益的温度系数为-0.02dB/℃、饱和输出功率系数......
发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850℃下退火,保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶......
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅......