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LDMOS功率管工作在线性区时,RDSon取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。非自对准LDMOS功率管漂移区的一端与栅极没有自对准关系,因此一些工艺偏差(诸如光刻CD、重叠、刻蚀CD等)均可影响器件的沟道长度。Motoro1a公司在SMOS7LV^TM工艺开发过程中,曾发现非自对准LDMOS功率管RDSon离散比规范值大8%(1σ)。有关RDSon的离散的分析表明,主要是因重叠性不良而引起。优化对准方案之后,RDSon离散可由原先的-12%降至<3%。