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提出了一个全耗尽SOlMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型．基于近似的抛物线电势分布模型，利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解．同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型．该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系，同时还近似地探讨了短沟道效应．为了进一步验证模型的正确性，利用SILVACOATAS软件进行了相应的模拟．结果表明，模型计算与软件模拟吻合较好．