论文部分内容阅读
设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET．该器件具有良好的直流和射频特性：输出曲线平滑，没有明显翘曲（kink）效应；静态击穿电压为13V；在栅漏偏压为3．6V时，截至频率为6GHz．负载牵引测试表明，该器件在1．5GHz时，PAE为50％，输出功率为27dBm，表明该器件适合射频功率放大器的应用．