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以自制的BiVO4纳米粉制备膜电极，采用电化学方法较系统地研究了退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电化学行为和电了输运与复合的影响．结果表明：退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电特性有显著的影响．膜厚为6．75um时，BiVO4膜电极具有最佳的光电化学特性．退火温度低于500℃时，膜电极的光电活性随着温度的升高而增强，至500℃时达到最大值：此后膜电极内的体相缺陷明显增加，导致其光电活性逐渐降低．BiVO4膜电极有良好的可见光光电转换效率，并利用其单色光转换效率曲线计算得到BiVO4的带隙为2．36e