4GHz 80K FET放大器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiangyongan
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本文从低噪声FET放大器的实际设计出发,分析了输入匹配电路对噪声性能的影响.从放大器的实际结构讨论了影响放大器噪声性能的因素.使用南京固体器件研究所研制的WC61GaAs MESFET,在3.7~4.2GHz下,得到的结果为:两级放大器增益28dB,三级放大器增益40dB,带内噪声温度小于80K,最小噪声温度为77K. Based on the actual design of low-noise FET amplifier, the effect of input matching circuit on noise performance is analyzed. The factors that affect the noise performance of the amplifier are discussed from the actual structure of the amplifier. Using WC61GaAs MESFET developed by Nanjing Institute of Solid State Devices, At 4.2GHz, the results are: two-stage amplifier gain of 28dB, three-stage amplifier gain of 40dB, the band noise temperature is less than 80K, the minimum noise temperature of 77K.
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