【摘 要】
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通过电沉积在ITO基底上制备了大规模ZnO纳米棒阵列。对ZnO纳米棒进行不同温度下的退火处理，然后通过旋转涂覆工艺将聚3-己基噻吩与[6，6]-苯基-C61丁酸甲酯（P3HT：PcBM）的混合物沉积
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通过电沉积在ITO基底上制备了大规模ZnO纳米棒阵列。对ZnO纳米棒进行不同温度下的退火处理，然后通过旋转涂覆工艺将聚3-己基噻吩与[6，6]-苯基-C61丁酸甲酯（P3HT：PcBM）的混合物沉积在纳米棒上组装成杂化太阳电池。应用扫描电子显微镜、x射线衍射、光致发光测试和光伏测试分析了退火处理对ZnO纳米棒及其组装的太阳电池性能的影响。发现退火处理除使ZnO纳米棒的光致可见光发射的强度有所改变外，还可以使发射峰中心从约580nm的位置转移到约520nm的位置，这说明退火处理不但可以改变ZnO纳米棒缺陷密
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通过原位磷注入液封直拉(LEC)法在富铟熔体中生长了方向的磷化铟单晶,并研究了晶体内缺陷形态及形成机制。在富铟熔体中生长的磷化铟晶锭中发现,多种形态富铟夹杂物镶嵌在磷
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