【摘 要】
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以SiH4和NH3作为反应气体,用常压化学气相沉积(APCVD)法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜,研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构,研究结果表明:在660℃温度所获得的氮化硅薄膜为
【机 构】
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以SiH4和NH3作为反应气体,用常压化学气相沉积(APCVD)法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜,研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构,研究结果表明:在660℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态,氮化硅薄膜与平板玻璃基板之间的界面有熔焊现象,结合牢固。
Silicon nitride films were prepared on the surface of plate glass by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) method using SiH4 and NH3 as reaction gases. The morphology and microstructure of the films were studied. The results show that at temperatures of 660 ℃, The obtained silicon nitride film is amorphous, the interface between the silicon nitride film and the flat glass substrate is welded, and the bonding is firm.
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