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中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心在高迁移率钢镓砷（1nGaAs）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得新进展。
中科院铟镓砷MOSFET射频开关芯片研究获进展
【摘 要】
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中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心在高迁移率钢镓砷（1nGaAs）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得新进展。
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2016年11期
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