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讲述TO-257金属扁平封装3CD104型PNP大功率晶体管的研制过程.根据产品技术要求,进行产品结构及工艺流程设计,通过合理地减少发射区条形宽度,增大发射区周长和面积之比值.通过合理选取和控制基区宽度,解决大功率和高频率相矛盾的问题.测试和试验表明,该产品各项参数均满足设计指标.
3CD104型硅PNP大功率晶体管的研制
【摘 要】
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讲述TO-257金属扁平封装3CD104型PNP大功率晶体管的研制过程.根据产品技术要求,进行产品结构及工艺流程设计,通过合理地减少发射区条形宽度,增大发射区周长和面积之比值.通过
【机 构】
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西安卫光半导体有限公司
【出 处】
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现代电子技术
【发表日期】
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2006年20期
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