基于结终端扩展的4H—SiC肖特基势垒二极管研制

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HUAXIAHK
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采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H—SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击穿电压达1800V,且反向恢复特性为32ns。
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