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采用简化的PIRAC工艺对SiCp进行涂覆处理，并研究了该涂层对SiCp/Fe界面化学稳定性的影响，实验结果表明，该工艺可以在SiCp表面形成一层均匀，致密的涂层，它主要由Cr3Si,Cr7c3和Cr23C6构成，3SiCp/Fe界面反应强烈，绝大多数的SiC被消耗掉，原位形成主要由Fe3Si构成的界面反应区，并在金属基体晶界形成片状球光体团，而3P－SiCp/Fe的界面反应很小，SiCp表面涂层保存完好，SiCp基本上未遭到破坏，并与基体紧密结合，涂层通过隔离Fe与SiC的接触，抑制P－SiCp/Fe界