【摘 要】
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使用GaN HEMT功率器件,设计了一款5G低频段的高效率E-1/F类射频功率放大器。为降低晶体管寄生参数及高次谐波对逆E类（E-1）功放开关特性和输出性能的不良影响,将具有寄生参数补
【机 构】
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宁波大学信息科学与工程学院; 深圳市检验检疫科学研究院;
【基金项目】
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国家自然科学基金(U1809203,61571251,61501272,61801252)
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使用GaN HEMT功率器件,设计了一款5G低频段的高效率E-1/F类射频功率放大器。为降低晶体管寄生参数及高次谐波对逆E类（E-1）功放开关特性和输出性能的不良影响,将具有寄生参数补偿的逆F类(F-1)谐波控制网络引入逆E类功放输出匹配电路中,实现了对二次谐波和三次谐波分别进行开路和短路处理,从而获得逆E类功放要求的良好开关特性。同时,得益于逆F类功放优良的谐波控制效果,改善了功放漏极电压和电流波形,大大降低其漏极峰值电压和电流,进而提升了功放的输出性能。实测结果表明,该功放在3.3～3.6 GHz的300MHz有效工作带宽内的功率附加效率为59.1%～71.4%,最大漏极效率高达75.6%,输出功率在40.2～41.5dBm之间,增益平坦度在±1dB以内。最后利用20 MHz带宽的单载波LTE信号作为测试信号,基于广义记忆多项式数字预失真器对该功放进行线性化后,功放输出的邻信道功率比改善了近15 dB。
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