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采用磁控溅射法在硅基片上生长FePt纳米颗粒薄膜。在硅片表面生长MgO籽层用来引发FePt合金薄膜的fct织构，加入C来减小其颗粒尺寸，加入Ag来增强其L10有序度。采用X射线衍射仪（XRD）、超导量子干涉仪（SQUID）和高分辨率透射电镜（TEM）对FePt薄膜进行表征。结果表明制备的薄膜样品具有优良的L10相结构，其M-H曲线表明方形度很好，垂直矫顽力HC有2467 kA/m，颗粒大小为10.4 nm。该薄膜非常适合用做下一代高密度磁存储媒质，可有效提高信息存储密度。