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利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜。系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应（TMR）和巨霍耳效应（GHE）。在卢O．33处得到最大磁电阻值为-3．3％afv0．52处饱和霍耳电阻率达最大值，为18．5μΩ·cm。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52（SiO2）0.48颗粒膜回火，霍耳电阻率随温度的变化不大，即样品具有良好的热稳定性。这表明Fe0.52（SiO2）0.48颗粒膜在工作于300℃下的磁场传感器方面有很好的应用前景