【摘 要】
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高场应力条件下，ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩＭＯＳ结构场发射极附近的镜像力效应和半导体／氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响ＭＯＳ结构的高场隧穿势垒高度及形状，本文研究了这种高场势垒调制效应及其
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高场应力条件下，ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩＭＯＳ结构场发射极附近的镜像力效应和半导体／氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响ＭＯＳ结构的高场隧穿势垒高度及形状，本文研究了这种高场势垒调制效应及其对ＭＯＳ结构高场隧穿特性和陷阱测试分析的影响，并给出了初步的修正分析方法．
High field stress, the VLSI / ULSIMOS structure near the field emitter mirror effect and the semiconductor / oxide layer near the semiconductor surface of the semiconductor side of the quantization effect will affect the MOS structure of high field tunneling barrier height and shape, The modulation effect of the high field potential barrier and its effect on the high-field tunneling characteristics and the trap test analysis of the MOS structure are studied, and a preliminary correction analysis method is given.
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