高性能低功耗高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术

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提出并实现了一种高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术.运行操作系统的CPU在不同任务之间切换时,需要对V-LRU RAM清零.使用传统的计数器依次清空V-LRU RAM的各行,CPU会白白浪费很多个时钟周期.在一个时钟周期对V-LRU RAM清空,可以大大提高CPU的性能.在四路组相联的高速缓存设计中,容量为16 k、8k和4k字节时,使用该技术可以将以前的256、128和64个时钟周期降低到只有1个时钟周期.基于SMIC O.13μm工艺,实现该技术的硬件电路面积为6 312.8μm2,且高速缓存的缺失率保持在非常低的水平.这种技术同样适用于对RAM需要单周期清空的场合.
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