半导体技术发展年表

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年 份 ——一 194 3 194 8 194 9 19j 9 1950 195i 1952 1952 1952 1953 1953 1953 1954 1954 1956 1 956 1 957 195; 195 8 1 95 8 1959 1959 1960 196 0 】960 196l 1 961 1 96l 1 963 1 962 1963 1963 196l 项 目 发明者单晶制造技术 梯尔、利特玺发明品体管 巴丁、布拉颤、 Year - one 194 3 194 8 194 9 19j 9 1950 195i 1952 1952 1952 1953 1953 1953 1954 1954 1956 1 956 1 957 195; 195 8 1 95 8 1959 1959 1960 196 0] 960 196l 1 961 1 96l 1 963 1 962 1963 1963 196l Project inventor Single crystal manufacturing technology Thierry, Littellne Invention Pipette Barindine, Bramult,
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一、引言在同一抽速下,钛球升华泵的体积、重量、成本是扩散泵、溅射离子泵的几十分之一。它可以用作外真空的主泵;加机械泵作内真空的前级和排电子管时作附助泵。如图1所示
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