道路与桥梁工程的常见病害和施工处理

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期刊
利用硫系元素在晶体硅带隙中引入的深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远,高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著,高浓度深能级中心波函数相互交叠,载流子可以
会议
本文采用波长为532 nm 的激光脉冲在n 型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行制备太阳电池发射极研究,利用全激光掺杂实现了方块电阻最低为35 Ω/□的发射极,经过退火后少子寿命
本文提供一种无醇单晶硅制绒添加剂,采用该添加剂进行单晶硅的绒面制作时不再需要异丙醇.所制得的绒面金字塔均匀而细小,平均尺寸低于2μm.制绒后硅片的表面反射率在400-1100n
离子注入技术是一种行之有效的半导体掺杂技术.利用离子注入方法对半导体掺杂,在高温下退火激活杂质离子可形成高品质PN结.近年来,随着光伏行业的飞速发展,离子注入技术逐渐