GaAs IC逻辑门静态特性的分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huihui1989
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GaAs数字电路具有高速数据处理能力,在高速、低耗VLSI中占有重要地位.由于单级逻辑门为其基本单元,敌研究它的特性有重要意义.已报道的设计方法中,采用等效电路模拟其电路参数.本文直接从器件的 Shockley模型出发,考虑到漏、源电阻(包 GaAs digital circuit with high-speed data processing capabilities, high-speed, low-cost VLSI occupies an important position.As a single-stage logic gate as its basic unit, the enemy to study its characteristics of great significance.Reported design methods, the use of equivalent circuit Simulation of its circuit parameters.This article directly from the device’s Shockley model, taking into account the drain, the source resistance (package
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