【摘 要】
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研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μmAlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,北京100029,北京100029,北京100029,北京10
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研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μmAlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/mm,截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz,同时在4GHz下,Vds=25V,Vgs=-2.5V,输出功率由0.90W增至1.79W,输出功率密度达到2.4W/mm.钝化有效地改善了器件的输出特性,减小和消除了表面寄生栅对器件的影响.
A 10 × 75μm × 0.8μm AlGaN / GaN microwave device with sapphire substrate was fabricated and tested. The passivation layer of 250nm Si3N4 was grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The DC characteristics increased from 0.56A / mm to 0.66A / mm, transconductance increased from 158mS / mm to 170mS / mm, cutoff frequency increased from 10.7GHz to 13.7GHz, and at 4GHz Vds = 25V, Vgs = -2.5V, output power increased from 0.90W to 1.79W , The output power density of 2.4W / mm passivation effectively improve the output characteristics of the device to reduce and eliminate the surface parasitic gate device on the impact.
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