【摘 要】
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本文报道用光声谱法在近红外波段(0.8～1.6μm)研究硅单晶片中~(31)P~+离子注入的效应,得到了低剂量情况下的结果,并认为有希望成为硅中离子注入剂量的检测方法。低注入剂量情
【机 构】
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复旦大学,复旦大学,复旦大学,复旦大学,上海半导体器件研究所,上海第三分析仪器厂,上海第三分析仪器厂,上海第三分析仪器厂,上海第三分析仪器厂
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本文报道用光声谱法在近红外波段(0.8～1.6μm)研究硅单晶片中~(31)P~+离子注入的效应,得到了低剂量情况下的结果,并认为有希望成为硅中离子注入剂量的检测方法。低注入剂量情况下,离子注入会在半导体中造成局域能级,在高剂量下离子注入则使半导体晶片的晶格完全破坏,变成非晶硅。光谱测试表明,在1.1～1.38μm波长范围内,单晶硅几乎是
In this paper, the effect of ~ (31) P ~ + ion implantation in silicon single crystal was investigated by photoacoustic spectroscopy in the near infrared band (0.8 ~ 1.6μm), and the results at low dose were obtained. Ion implantation dose detection method. At low implant doses, ion implantation causes localized energy levels in the semiconductor, while ion implantation at high doses completely disrupts the crystalline lattice of the semiconductor wafer and becomes amorphous silicon. Spectroscopic tests show that in the 1.1 ~ 1.38μm wavelength range, almost single crystal silicon
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