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界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO／PTCDA／p—Si薄膜器件，并采用X射线光电子能谱（xPs）和Ar^＋溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明，在ITO／PTCDA／pSi薄膜器件的界面，不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散，PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外，每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移，并以Cls和Ols谱的化学位移最为显著。