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利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe／Ag／NiFe全金属自旋晶体管试样。该薄膜磁阻系数AR／R≥9％，全金属自旋晶体管试样集电极电流变化Mc〉587％（常温），且其性能随基极Ag层厚度减小而增强。全金属自旋晶体管具有电流放大、存贮及逻辑电路等功能，有望替代现有的晶体管而应用于半导体大规模集成电路。